RFHIC·예스파워테크닉스 GaN 기반 차세대 화합물반도체 합작사 설립

[데이터넷] 화합물 반도체 전문기업 RFHIC(대표 조덕수)와 SiC 전력반도체 제조사 예스파워테크닉스(대표 정은식)는 ‘GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨) 기반 차세대 화합물반도체’ 생산에 본격적으로 나선다.RFHIC는 예스파워테크닉스와 GaN 화합물반도체 합작회사(JV) 설립을 위한 양해각서(MOU)를 체결하고, 고성장 GaN 등의 차세대 반도체 개발과 국산화를 함께 추진해 나갈 예정이다. GaN 화합물반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 전력반도체에 비해 높은 전력 효율과 내구성을 갖추고 있다. 사용 전압이 낮고 고주파에 강해 5